Samsung গত জুনের শেষ সপ্তাহে তাদের ৩ ন্যানোমিটার (3nm) প্রসেসে তৈরি চিপসেটের উৎপাদন শুরু করেছে। এটি গেট অল গ্রাউন্ড (GAA) ট্রানজিস্টর আর্কিটেকচারের উপর ভিত্তি করে তৈরি করা হচ্ছে। নয়া রিপোর্ট অনুযায়ী, Samsung এই চিপসেটটি আগামী ২৫ জুলাই লঞ্চ করতে চলেছে। আর এই রিপোর্ট যদি সত্যি হয়, তাহলে দক্ষিণ কোরিয়ার সংস্থাটি রীতিমত চমকে দেবে তাইওয়ান সেমিকন্ডাকটর ম্যানুফ্যাকচারিং কোম্পানি (TSMC) কে।
কারণ শোনা যাচ্ছে তারা এই বছরের শেষের দিকে ৩এনএম চিপের উৎপাদন শুরু করবে। জানা গেছে, নতুন এই চিপ এর পূর্বসূরী, ৫এনএম চিপের তুলনায় ৪৫ শতাংশ কম পাওয়ার নেবে। আবার এটি ২৫ শতাংশ উন্নত পারফরম্যান্স দেবে।
Pulse News Korea-র রিপোর্ট অনুযায়ী, Samsung Electronics আগামী ২৫ জুলাই তাদের ৩এনএম চিপের উপর থেকে পর্দা সরাতে চলেছে। সংস্থাটি দক্ষিণ কোরিয়ার তাদের Hwaseong উৎপাদন কেন্দ্রে একটি ইভেন্ট আয়োজন করে এই চিপ লঞ্চ করবে।
এদিকে শোনা যাচ্ছে, TSMC আগামী বছর অর্থাৎ ২০২৩ সালে তাদের ৩এনএম ফ্রেবিকেশন প্রসেসে তৈরি চিপ লঞ্চ করবে। আবার ২০২৫ সালে তারা ২এনএম প্রসেসে তৈরি চিপসেট বাজারে আনতে পারে।
